MCT兩級TE冷卻光電導探測器 參考價：面議
1-15μm中紅外光浸沒式MCT兩級TE冷卻光電導探測器 PCI-2TE系列是基于復雜的MCT異質(zhì)結構的兩級熱電冷卻紅外光電導探測器，采用光學浸沒來提高器件的性...
中紅外熱電冷卻光電導HgCdTe探測器 參考價：面議
中紅外熱電冷卻光電導HgCdTe探測器是一種熱電冷卻光電導HgCdTe(碲鎘汞，MCT)探測器。這種材料對2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。中紅外熱電...
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm 參考價：面議
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm光譜響應范圍從可見光到近紅外，峰值響應波長905nm。大光敏面，高速響應，高增益，低噪聲。
8mm大光敏面硅（Si）硅光電探測器 參考價：面議
8mm大光敏面硅（Si）硅光電探測器在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。
InGaAs超低噪聲模擬PIN探測器 參考價：面議
InGaAs超低噪聲模擬PIN探測器,銦鎵砷單元探測器,集成寬帶跨阻放大器,超低噪聲電源集成了兩個匹配的超低噪聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪...
2mm大光敏面InGaSe光電探測器 參考價：面議
2mm大光敏面InGaSe光電探測器是一個全色PIN光電二極管，截止波長高達2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半導體InGaAs材料用于制作各...
InGaAs增益可調(diào)平衡探測器 參考價：面議
InGaAs增益可調(diào)平衡探測器 ,光譜相應 800-1700nm通過軟件方便快捷調(diào)節(jié)增益，增益調(diào)節(jié)范圍高達31dB，最大增益高達60KV/A。在增益調(diào)節(jié)過程中，...
偏振分集相干接收模塊InGaAs平衡探測器 參考價：面議
偏振分集相干接收模塊InGaAs平衡探測器1510-1590nm是針對偏振敏感的光纖傳感應用。該偏振分集接收模塊將本振光與信號光的兩個偏振態(tài)進行分別相干，采用兩...
相干接收模塊 集成光電平衡探測器InGaAs 參考價：面議
相干接收模塊 集成光電平衡探測器InGaAs ,光纖耦合器800-1700nm內(nèi)部集成了高速低噪聲模擬光電平衡探測器以及高品質(zhì)光纖耦合器。制作過程對耦合器分光比...
InGaAs雪崩光電平衡探測器 參考價：面議
InGaAs雪崩光電平衡探測器 光譜響應 800-1700nm集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度控制；隔離電...
Ge大光敏面鍺光電二極管 參考價：面議
Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍...
2.2um擴展型InGaAs光電二極管探測器 參考價：面議
2.2um擴展型InGaAs光電二極管探測器：峰值波長（典型）： 2.0 ± 0.1um 截止波長 (50%): 2.2 ± 0.1um 響...
美國EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測器 >2 GHz 參考價：面議
美國EOTInGaAs 銦鎵砷光電探測器 2 GHz：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶...
美國EOT - 硅光電探測器 >118 MHz 參考價：面議
美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降時間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 響應度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１１８Ｍ...
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器 參考價：面議
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１...
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器 參考價：面議
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞...
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