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步進式光刻機

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號Nikon NSR 2005i10C

品牌Nikon/日本尼康

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地深圳市

更新時間:2024-09-04 16:20:36瀏覽次數(shù):540次

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1、Nikon NSR 2005i10C步進式光刻機
光源波長365nm
分辨率優(yōu)于0.45µm
主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線
廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域
2、產(chǎn)品詳情
主要技術指標
分辨率0.45µm
N.A.0.57
曝光光源365nm
倍率5:1
最大曝光現(xiàn)場20mm*20mm
對準精度
LSA:100nm
FIA:110nm

一、產(chǎn)品概述:

 Nikon NSR 2005i10C步進式光刻機是一款高精度的半導體制造設備,該機型采用先進的步進光刻技術,能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率和高精度的圖案轉(zhuǎn)移,廣泛應用于集成電路(IC)、微處理器和存儲器等電子元件的制造。憑借其良好的成像質(zhì)量和快速的曝光速度,Nikon NSR 2005i10C非常適合大批量生產(chǎn),同時其用戶友好的操作界面和高效的自動化功能提升了生產(chǎn)效率。這使得Nikon NSR 2005i10C成為現(xiàn)代半導體制造過程中的重要工具,滿足行業(yè)對高質(zhì)量和高效率的需求。

二、設備用途/原理:

該設備通過高強度光源將掩模上的圖案逐步投影到涂有光刻膠的晶圓表面。光源發(fā)出特定波長的光線,經(jīng)過高分辨率光學系統(tǒng),精確地將掩模圖案投影到晶圓上進行曝光。曝光后,光刻膠的化學性質(zhì)發(fā)生變化,隨后進行顯影,去除未曝光或已曝光的光刻膠,從而形成所需的圖案。接著,利用刻蝕工藝將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓材料上,最后去除殘留的光刻膠。通過這一系列步驟,Nikon NSR 2005i10C能夠高效地實現(xiàn)復雜圖形的精確轉(zhuǎn)移,滿足現(xiàn)代半導體制造的高標準要求。

三、主要技術指標:

分辨率

0.45µm

N.A.

0.57

曝光光源

365nm

倍率

5:1

大曝光現(xiàn)場

20mm*20mm

對準精度

LSA:100nm
FIA:110nm

四、設備特點

Nikon NSR 2005i10C步進式光刻機

光源波長365nm

分辨率優(yōu)于0.45µm

主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線

廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等


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