MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 北方華創(chuàng)
- 型號 MARS iCE115
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2024/9/5 10:59:21
- 訪問次數(shù) 322
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1. 產(chǎn)品概述
MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高。
2. 設(shè)備用途/原理
MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高，具備多層外延能力，氣流場和加熱場設(shè)計，工藝性能優(yōu)異，可靠的壓力控制系統(tǒng)，成膜質(zhì)量均一性好。
3. 設(shè)備特點
晶圓尺寸 4、6 英寸，適用材料 碳化硅 SiC，適用工藝 N&P 碳化硅外延，適用域 科研、化合物半導(dǎo)體。?碳化硅外延系統(tǒng)的工作原理主要依賴于化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)。?這一技術(shù)通過載氣將反應(yīng)氣體輸送到反應(yīng)室內(nèi)，在一定的溫度和壓力條件下，反應(yīng)氣體分解并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成中間化合物擴(kuò)散到碳化硅襯底表面，從而生長出外延層。這種外延生長技術(shù)能夠有效地控制摻雜濃度和薄膜厚度，以滿足設(shè)計要求，同時減少襯底中的缺陷，提高器件良率。反應(yīng)室內(nèi)的氣流場和溫度場對碳化硅外延生長至關(guān)重要，因為它們直接影響外延層的質(zhì)量和均勻性。
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