供應(yīng)
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石墨烯紙(非導(dǎo)電) 詳細(xì)摘要:石墨烯紙(非導(dǎo)電) Graphene Film-Super Paper
所在地:上海上海市 更新時間:2024-09-19 在線留言
直徑:40毫米
厚度:20um
電導(dǎo)率:非導(dǎo)電,8x10-2 S / M
拉伸模數(shù)>20 GPa
顏色:黑色,棕色或黃色
易彎曲,靈活 -
2*2'' 兩層-多層石墨烯(進(jìn)口) 詳細(xì)摘要:多層石墨烯(進(jìn)口) Multi-layer Graphene
所在地:上海上海市 更新時間:2024-09-19 在線留言
CVD石墨烯層數(shù):2-8
基材:銅箔/硅/二氧化硅/PET/塑料/玻璃/石英 -
石墨烯紙(導(dǎo)電) 詳細(xì)摘要:石墨烯紙(導(dǎo)電) Graphene Film-Super Paper
所在地:上海上海市 更新時間:2024-09-19 在線留言
直徑:40毫米
厚度:20微米
導(dǎo)電性:2x103s /米
拉伸模數(shù):>10 GPa
顏色:黑色
高導(dǎo)熱率:> 1000W/m.K
易彎曲,靈活 -
I2 intercalated WS2 二硫化鎢晶體(碘) 詳細(xì)摘要:High purtiy WS2 crystals have been I2 (iodine) intercalated to achieve p-type doping.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
I2 intercalated MoS2 二硫化鉬晶體(碘) 詳細(xì)摘要:Synthetic MoS2 crystals have been I2 (iodine) intercalated to achieve p-type doping.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
SbAsS3 三硫化砷銻晶體 詳細(xì)摘要:Our newest class of material: Sb2xAs2(1-x)S3 comes in perfect 1:1:3 stoichiometry consisting of Sb-Sb-S3 atoms.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
ReNbS2 Crystals 二硫化鈮錸晶體 詳細(xì)摘要:Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
MoReS2 Crystals 硫化錸鉬晶體 詳細(xì)摘要:Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
MoWS2 二硫化鎢鉬晶體 詳細(xì)摘要:Our MoWS2 alloys with the chemical formula MoxW(1-x)S2 crystals perfectly crystallize in 2H phase and come at different alloy ratios x.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
ReMoS2 Crystals 二硫化鉬錸晶體 詳細(xì)摘要:Molybdenum atoms perfectly incorporated into ReS2 matrix.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
NbReS2 Crystals 硫化錸鈮晶體 詳細(xì)摘要:Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
CuS 硫化銅晶體 (Copper Sulfide) 詳細(xì)摘要:CuS is a member of metal chalcogenides (see our GaSe and GaTe products).
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
Bi4Te1.5S1.5 硫化碲鉍晶體 詳細(xì)摘要:Bismuth Telluride Sulfide (Bi?Te?.?S?.?) is developed at our facilities.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
Bi2S3 硫化鉍晶體 (Bismuth Sulfide) 詳細(xì)摘要:Bismuth sulfide (Bi?S?) Developed at our facilities in the last five (5) years to optimize the perfect stoichiometry.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
As2S3 硫化砷晶體 詳細(xì)摘要:As2S3 comes in perfect 2:3 stoichiometry.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言 -
硫磷化銅(銦摻雜)晶體(百分之99.995) 詳細(xì)摘要:硫磷化銅(銦摻雜)晶體(99.995%) CuInP2S6
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 -
三硫化鎳(磷摻雜)晶體(百分之99.995) 詳細(xì)摘要:三硫化鎳(磷摻雜)晶體(99.995%) NiPS3
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 -
三硫化錳(磷摻雜)晶體(百分之99.995) 詳細(xì)摘要:三硫化錳(磷摻雜)晶體(99.995%) MnPS3
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 -
三硫化鐵(磷摻雜)晶體(百分之99.995) 詳細(xì)摘要:三硫化鐵(磷摻雜)晶體(99.995%) FePS3
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 -
二硫化鉬晶體(合成/2H) 詳細(xì)摘要:Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide (2H-MoS?) comes in bulk.
所在地:江蘇泰州市 更新時間:2024-09-19 在線留言