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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>工藝測量和檢測設(shè)備>四探針測試儀> 渦流法方阻測試儀

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渦流法方阻測試儀

具體成交價以合同協(xié)議為準

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公司成立于2021年,是一家注冊在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售于一體,主要攻克國外壟斷技術(shù),替代進口產(chǎn)品,使半導(dǎo)體材料測試設(shè)備國產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率(霍爾)測試儀、少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)驗,申請各項知識產(chǎn)權(quán)20余項,已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認可,并取得良好的市場口碑。





晶圓電阻率測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測試儀,少子壽命測試儀

價格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合
自動化度 手動

??方阻是指一個正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?,也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料(如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等)厚度的一個參數(shù),其大小與材料的電阻率和厚度有關(guān)。?

特性:

方阻的特性是,無論正方形的邊長如何,其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著,不管正方形的邊長是1米還是1毫米,其方阻值都是一樣的。方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān),與樣品的尺寸無關(guān)。

描述:

渦流法方阻測試儀主要利用渦電流測試原理,非接觸測試半導(dǎo)體材料,石墨烯,透明導(dǎo)電膜,碳納米管,金屬等材料的方阻(電阻率)??蓪崿F(xiàn)單點測試,亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能,可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。

特點:

本儀器為非接觸,非損傷測試,具有測試速度快,重復(fù)性佳,測試敏感性高,可以直接測試產(chǎn)品片。

渦流法方阻測試儀技術(shù)參數(shù):

參數(shù)探頭

方阻范圍

電阻率范圍

測試方法

量程

低阻探頭

0.005-1Ω/sq

0.25-50mΩ·cm

渦流法,

非接觸式

中阻探頭

0.05-10Ω/sq

2.5-500mΩ·cm

高阻探頭

10-3000Ω/sq

0.5-150Ω·cm

錠探頭

0.01-2Ω·cm

重復(fù)性

<0.2%(≤50%量程范圍)

<0.5%(>50%量程范圍)

準確度

<±3%(≤50%量程范圍)

<±3%(>50%量程范圍)

探頭信息

探頭類型:雙探頭(上下探頭,間距2-3mm)

探頭直徑:外徑20mm,內(nèi)徑14mm(有效測試部分)

坐標設(shè)置

任意坐標設(shè)置

存儲數(shù)據(jù)

數(shù)據(jù)庫內(nèi)部存儲(可導(dǎo)出表格文件)

PDF測試報告,含測試信息(時間、操作員)、wafer信息(編號、尺寸、厚度),數(shù)據(jù)信息(測試點數(shù),**值,最小值,平均值,相對標準偏差等),等高線圖,曲面圖等。

CSV表格數(shù)據(jù)可存儲至遠端服務(wù)器,可根據(jù)客戶需求修改相關(guān)報告信息

WAFER信息

尺寸:2”-8”(英寸)

厚度:100-1500μm

系統(tǒng)要求

供電:AC220V,50/60Hz;功率:600W;環(huán)境:溫度24℃±10℃

相對濕度:20%-80%RH;尺寸:975*465*425(mm);壽命:>10年

渦流法原理:

當載有交變電流的檢測線圈靠近被測導(dǎo)體,由于線圈上交變磁場的作用,被測導(dǎo)體感應(yīng)出渦流并產(chǎn)生與原磁場方向相反的磁場,部分抵消原磁場,導(dǎo)致檢測線圈電阻和電感變化。

渦流法方阻測試儀


電阻率=方阻×Wafer厚度

方阻和V具有關(guān)系

電阻率是用來表示物質(zhì)電阻特性的物理量,是材料本身的電學(xué)性質(zhì)。

適用材料:

材料

電阻率

方阻

Silicon wafer

Y

Y

SiC wafer / Ingot

Y

Y

GaO wafer / Ingot

Y

Y

GaN wafer 2DEGI

Y

Y

GaAs 2EDG


Y

IGZO/LTPS/ITO


Y

TCO(Touch panel)


Y

Graphene


Y

Metal film


Y


穩(wěn)定性

渦流法方阻測試儀


相對標準偏差=0.0150%@中點15次重復(fù)性


方阻Mapping55點測試報告

報告時間

2023/10/26 13:51

測試樣本數(shù)

55

分析時間

2023/10/26 13:47

**電阻率

0.0232

操作員ID

admin

最小電阻率

0.02277

批次ID

0

平均電阻率

0.02293

樣片ID

A-1-55

標準偏差

0.000111

尺寸規(guī)格

100mm

相對標準偏差

0.4861%



渦流法方阻測試儀


渦流法方阻測試儀


動態(tài)重復(fù)性逐點(38點坐標)一致性數(shù)據(jù)如下(樣品面的測量5次)


           

重復(fù)性

Max

1

0.12459

0.12466

0.12467

0.12471

0.12472

0.0413%

0.0703%

2

0.12347

0.12351

0.12356

0.12358

0.12362

0.0477%


           

3

0.12315

0.12321

0.12323

0.12326

0.12329

0.0431%


           

4

0.12389

0.12398

0.124

0.12402

0.12405

0.0489%


           

5

0.12421

0.12424

0.12428

0.12438

0.12441

0.0703%


           

6

0.12396

0.12403

0.12406

0.12408

0.12412

0.0484%


           

7

0.12387

0.12389

0.12398

0.124

0.12403

0.0566%


           

8

0.12482

0.12486

0.1249

0.12493

0.12496

0.0444%


           

9

0.12431

0.12434

0.1244

0.12447

0.12451

0.0679%


           

10

0.12429

0.12435

0.12438

0.12442

0.12445

0.0500%


           

11

0.12372

0.12378

0.1238

0.12383

0.12386

0.0429%


           

12

0.12381

0.12389

0.12392

0.12393

0.12396

0.0462%


           

13

0.1237

0.12374

0.1238

0.12381

0.12385

0.0481%


           

14

0.12386

0.12394

0.12396

0.12399

0.12403

0.0512%


           

15

0.12394

0.124

0.12404

0.12407

0.12409

0.0482%


           

16

0.12496

0.125

0.12504

0.12507

0.12509

0.0421%


           

17

0.1245

0.12454

0.12452

0.12464

0.12465

0.0562%


           

18

0.12414

0.12418

0.12422

0.12425

0.12427

0.0424%


           

19

0.12392

0.12396

0.124

0.12404

0.12406

0.0462%


           

20

0.12487

0.12491

0.12496

0.12501

0.12501

0.0495%


           

21

0.12355

0.1236

0.12363

0.12367

0.12372

0.0526%


           

22

0.12402

0.12409

0.12412

0.12415

0.12417

0.0473%


           

23

0.12442

0.12444

0.12453

0.12456

0.12458

0.0578%


           

24

0.12419

0.12423

0.12428

0.12431

0.12434

0.0486%


           

25

0.12388

0.12395

0.12396

0.12398

0.12403

0.0438%


           

26

0.12501

0.12505

0.12509

0.12512

0.12516

0.0468%


           

27

0.1244

0.12444

0.12453

0.12453

0.12458

0.0592%


           

28

0.12441

0.12445

0.12452

0.12453

0.12457

0.0519%


           

29

0.12385

0.12389

0.12393

0.12396

0.124

0.0473%


           

30

0.12379

0.12383

0.12385

0.12387

0.12392

0.0389%


           

31

0.12367

0.1237

0.12372

0.12374

0.12381

0.0425%


           

32

0.12393

0.12397

0.12402

0.12403

0.12409

0.0492%


           

33

0.12394

0.12396

0.124

0.12405

0.12409

0.0502%


           

34

0.12506

0.12509

0.12514

0.12519

0.12521

0.0510%


           

35

0.12449

0.12452

0.12459

0.12465

0.12466

0.0610%


           

36

0.12423

0.12423

0.12431

0.12434

0.12436

0.0491%


           

37

0.12382

0.12386

0.12386

0.12392

0.12395

0.0421%


           

38

0.12494

0.12497

0.12502

0.12508

0.12508

0.0507%


           


不同阻值穩(wěn)定性測試如下(1000個數(shù)據(jù)分統(tǒng)計)


           

真實值

靜態(tài)

動態(tài)

穩(wěn)定性

0.1013

0.05%

0.05%

0.1596

0.04%

0.04%

0.2884

0.05%

0.06%

0.5657

0.07%

0.05%

0.9746

0.07%

0.08%

1.5941

0.11%

0.09%

3.1808

0.16%

0.27%

16.662

0.48%

0.96%

56.4

0.03%

0.05%

180.6

0.10%

0.10%

264.4

0.10%

0.16%

573.7

0.28%

0.36%

750.9

0.34%

0.43%


非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀,方阻測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀,遷移率(霍爾)測試儀,少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀,表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、金屬薄膜、玻璃、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借先進的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線,已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認可,并取得良好的市場口碑。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:碳化硅測試、氮化鎵測試、晶圓硅片測試、氧化鎵測試、金屬薄膜測試、玻璃測試、襯底和外延廠商、光伏電池片測試。



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