深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

  • 多功能刻蝕機(jī)

    GSE C200 多功能刻蝕機(jī)等離子體源設(shè)計(jì)，保證良好的刻蝕均勻性.GSE C200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆?？刂颇芰?qiáng)、易維護(hù)、性能穩(wěn)定...
    型號(hào)： GSE C200 所在地：北京市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/6 9:28:16 對比

  • 離子束刻蝕機(jī)

    EIS-200ERP是由ELIONIX研發(fā)的離子束刻蝕機(jī)，緊湊和高性能，使用 ECR 離子束可以進(jìn)行納米蝕刻和沉積，制品特微。
    型號(hào)： EIS-200ER... 所在地：日本 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 21:26:34 對比

  • 離子束刻蝕機(jī)

    EIS-1500是由ELIONIX研發(fā)的108mm的大直徑光束，通過充分利用光束面內(nèi)分布監(jiān)控功能，可以實(shí)現(xiàn)各向異性干法蝕刻的離子束刻蝕機(jī)。
    型號(hào)： EIS-1500 所在地：日本 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 21:22:03 對比

  • 12英寸金屬刻蝕機(jī)

    NMC 612G 12英寸金屬刻蝕機(jī)，可用于鋁、硅，氧化物、鉬、氧化銦錫等多種材料刻蝕。
    型號(hào)： NMC 612G 所在地：北京市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 17:18:00 對比

  • 高密度 刻蝕機(jī)

    GDE C200系列 高密度 刻蝕機(jī)，等離子體源和頻率設(shè)計(jì)，等離子體密度高，適用于強(qiáng)鍵合材料刻蝕。
    型號(hào)： GDE C200系... 所在地：北京市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 17:13:09 對比

  • 單晶圓刻蝕系統(tǒng)

    憑借在蝕刻GaN，SiC和藍(lán)寶石等材料方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，我們的技術(shù)既能夠滿足性價(jià)比的要求、又能使器件的性能得到更優(yōu)化。PlasmaPro 100 Polaris單...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：英國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 16:33:24 對比

  • 電感耦合等離子體刻蝕

    PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：英國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 16:11:50 對比

  • 單片濕法刻蝕機(jī)

    滿足半導(dǎo)體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于SiO2，SiN，Polysilicon和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。
    型號(hào)： KS-S300-E 所在地：沈陽市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 14:50:24 對比

  • 芯片刻蝕機(jī)

    ELEDE® 380系列 芯片刻蝕機(jī)，優(yōu)良的等離子體發(fā)生裝置，適用多種材料刻蝕，工藝窗口寬。
    型號(hào)： ELEDE... 所在地：北京市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 14:26:03 對比

  • 多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)

    多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)-概述：1.方案是適用于最大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋...
    型號(hào)： customize... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 10:56:26 對比

  • CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)

    NMC 508系列 CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)，多頻解耦設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質(zhì)刻蝕。
    型號(hào)： NMC 508系列 所在地：北京市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 10:13:55 對比

  • 等離子刻蝕集群系統(tǒng)

    SENTECH 集群系統(tǒng)包括等離子體蝕刻和/或沉積模塊、一個(gè)轉(zhuǎn)移室和一個(gè)真空負(fù)載鎖或盒式站。包括搬運(yùn)機(jī)器人在內(nèi)的轉(zhuǎn)移室有三到六個(gè)端口。最多可以使用兩個(gè)盒式磁帶站...
    型號(hào)： SENTECH 集... 所在地：德國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 10:04:54 對比

  • ICP 刻蝕機(jī)

    NMC 508系列 ICP刻蝕機(jī)是電感耦合高密度等離子體（Inductively Coupled Plasma, ICP）干法刻蝕機(jī)，具有高精度、高選擇性和高效...
    型號(hào)： NMC 508系列 所在地：北京市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 9:58:11 對比

  • AL實(shí)時(shí)監(jiān)控器

    SENTECH AL 實(shí)時(shí)監(jiān)測器是一種經(jīng)過驗(yàn)證的光學(xué)診斷工具，可實(shí)現(xiàn)單個(gè) ALD 和 ALE 周期的超高分辨率。主要應(yīng)用是在不破壞真空的情況下分析薄膜特性（生長...
    型號(hào)： SENTECH A... 所在地：德國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/5 9:53:27 對比

  • RIE等離子刻蝕系統(tǒng)

    SENTECH SI 500 CCP 系統(tǒng)使用動(dòng)態(tài)溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優(yōu)勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)...
    型號(hào)： SENTECH S... 所在地：德國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/4 17:35:38 對比

  • 等離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    SENTECH SI 591 緊湊型 RIE 等離子蝕刻系統(tǒng)具有負(fù)載鎖定功能，是氯基和氟基 RIE 的緊湊型解決方案。
    型號(hào)： SENTECH S... 所在地：德國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/4 17:31:13 對比

  • RIE等離子蝕刻系統(tǒng)

    SENTECH Etchlab 200 RIE等離子蝕刻系統(tǒng)代表了一系列直接加載等離子體蝕刻系統(tǒng)，結(jié)合了RIE平行板電極設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)和直接負(fù)載的成本效益設(shè)計(jì)。
    型號(hào)： SENTECH E... 所在地：德國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/4 17:16:02 對比

  • 深硅刻蝕設(shè)備

    RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由R...
    型號(hào)： RIE-400iP... 所在地：國外 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/4 17:12:01 對比

  • 等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備

    RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設(shè)備，可處理多達(dá)ø350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應(yīng)用提供了堅(jiān)固...
    型號(hào)： RIE-350iP... 所在地：國外 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/4 17:03:21 對比

  • 低溫ICP-RIE等離子體刻蝕系統(tǒng)

    SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿技術(shù)，其最寬溫度范圍為 -150 ...
    型號(hào)： SENTECH S... 所在地：德國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2024/9/4 17:00:11 對比
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