官方微信|手機(jī)版

產(chǎn)品展廳

產(chǎn)品求購企業(yè)資訊會(huì)展

發(fā)布詢價(jià)單

化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>薄膜生長設(shè)備>化學(xué)氣相沉積設(shè)備>customized 化學(xué)氣相沉積MOCVD

分享
舉報(bào) 評價(jià)

customized 化學(xué)氣相沉積MOCVD

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

聯(lián)系方式:謝澤雨查看聯(lián)系方式

聯(lián)系我們時(shí)請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。








冷熱臺,快速退火爐,光刻機(jī),納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1. 產(chǎn)品概述

MOCVD設(shè)備是通過將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式,經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室,進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長出薄膜材料。應(yīng)用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

2. 設(shè)備用途/原理

應(yīng)用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等;

MOCVD設(shè)備是通過將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式,經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室,進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長出薄膜材料;

加熱系統(tǒng):采用鎢絲加熱,三溫區(qū)控制,最高溫度至1400℃;

反應(yīng)腔室內(nèi)托盤與噴淋頭間距可調(diào)(范圍覆蓋5 mm至25 mm);

工藝過程中,具有實(shí)時(shí)晶圓表面溫度和晶圓翹曲度監(jiān)測功能;

搭載溫度監(jiān)測系統(tǒng),可實(shí)時(shí)掃描晶圓溫度mapping圖。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn);

襯底尺寸:3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch;

通過載波交換實(shí)現(xiàn):6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch;

Ga2O3薄膜生長速率:>3um/h;

Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范圍由AFM在Ga2O3襯底上測量 ≤1.0 nm。



化工儀器網(wǎng)

采購商登錄
記住賬號    找回密碼
沒有賬號?免費(fèi)注冊

提示

×

*您想獲取產(chǎn)品的資料:

以上可多選,勾選其他,可自行輸入要求

個(gè)人信息: