PD-220N 化學氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)

1. 產(chǎn)品概述

PD-220N是用于沉積各種硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等離子體CVD系統(tǒng)。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)小40%。 從研究到半大規(guī)模生產(chǎn)，它的應用范圍很廣。

2. 設備用途/原理

各種硅基薄膜的形成，可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。

3. 設備特點

可在?8英寸晶圓上沉積，盡管設計緊湊，但該系統(tǒng)能夠在5塊?3英寸晶圓、3塊?4英寸晶圓和1塊?8英寸晶圓上同時沉積。TEOS-SiO2成膜系統(tǒng)可擴展，可增加TEOS等溫室裝置。等離子體化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用等離子體激活反應氣體，促進在基體表面或近表面空間進行化學反應，生成固態(tài)膜的技術。按產(chǎn)生等離子體的方法，分為射頻等離子體、直流等離子體和微波等離子體CVD等。