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PlasmaPro 100 ICPCVD 電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積ICPCVD

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ICPCVD薄膜沉積等離子體低溫生長

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實驗室整體服務(wù)。

公司目前已授實用新型權(quán)利 29 項,軟件著作權(quán) 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。








冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1. 產(chǎn)品概述

ICPCVD工藝模塊專門設(shè)計用于在相對較低的生長溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜,其核心技術(shù)是采用高密度遠(yuǎn)程等離子體來實現(xiàn)。這種設(shè)計不僅使得薄膜的成核和生長過程更加可控,還有效地提高了薄膜的物理和化學(xué)性能。

通過高密度等離子體的使用,利用源自等離子體中的活性物質(zhì)和離子,能夠促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生,使得薄膜在較低的溫度環(huán)境中仍能實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)的沉積。這意味著在沉積過程中,能夠有效地避免基板因過高溫度而出現(xiàn)的熱損傷,從而保護基材的結(jié)構(gòu)與性能,確保最終產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

此外,該工藝模塊為材料的多樣性和應(yīng)用廣度提供了可能,適用于多種類型的薄膜沉積,包括但不限于硅基材料、氮化物、氧化物等。這使其在半導(dǎo)體、光電及微機電系統(tǒng) (MEMS) 等行業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用前景。

2. 特色參數(shù)

更好的均勻性、高產(chǎn)量以及高精度的工藝

高質(zhì)量薄膜

電的適用溫度范圍寬

兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

快速更換不同尺寸晶圓

購置成本低且易于維護

緊密的設(shè)計,布局靈活

電阻絲加熱電,高溫度可達(dá)400°C或1200°C

實時監(jiān)測清洗工藝, 并且可自動停止工藝





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