PlasmaPro 100 PECVD 等離子增強化學氣相沉積PECVD

1. 產品概述

設計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的提下，生產均勻性好且沉積速率高的薄膜。

PlasmaPro 100 PECVD 由于電溫度均勻性和電中的噴淋頭設計，可提供出色的保形沉積和低顆粒生成，允許射頻能量產生等離子體。等離子體的高能反應性物質提供高沉積速率，以達到所需的基板厚度，同時保持低壓。其雙頻 13.56MHz 和 100KHz 功率應用于上電，可實現應力控制和薄膜致密化.

高質量的薄膜，高產量和出色的均勻性

電的適用溫度范圍寬

兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓

成本低且易于維護電阻絲加熱電，高溫度可達400°C或1200°C

實時監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動停止工藝

2. 特點

將反應物質輸送到基材，通過腔室具有均勻的高電導路徑，允許使用高氣體流量，同時保持低壓射頻供電噴淋頭，具有優(yōu)化的氣體輸送功能，通過LF/RF開關提供均勻的等離子體處理，從而可以精確控制薄膜應力高泵送能力，提供寬的工藝壓力窗口

通過均勻的高導通路徑連接的腔室，將反應粒子輸送到襯底

在維持低氣壓的同時，允許使用較高的氣體通量

高度可變的下電

充分利用等離子體的三維特性，在優(yōu)秀的高度條件下，襯底厚度大可達10mm

電的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C），可通過液氮，液體循環(huán)制冷機或電阻絲加熱

可選的吹排及液體更換單元可自動進行模式切換

由再循環(huán)制冷機單元供給的液體控溫的電

出色的襯底溫度控制

射頻功率加載在噴頭上，同時優(yōu)化氣體輸送

提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝，可精確控制薄膜應力

ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm

確保200mm晶圓的工藝均勻性

高抽氣能力

提供了更寬的工藝氣壓窗口

晶壓盤與背氦制冷

更好的晶片溫度控制

3. 應用范圍：

高質量PECVD沉積氮化硅 和 二氧化硅 用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途

用于高亮度LED 生產的硬掩模沉積和刻蝕