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PlasmaPro 100 PECVD 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng) 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
  • 品牌 OXFORD/英國(guó)牛津
  • 型號(hào) PlasmaPro 100 PECVD
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間 2024/9/6 10:10:40
  • 訪問(wèn)次數(shù) 138
產(chǎn)品標(biāo)簽

PECVD化學(xué)氣相沉積牛津

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。








冷熱臺(tái),快速退火爐,光刻機(jī),納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1. 產(chǎn)品概述

設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的提下,生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。

PlasmaPro 100 PECVD 由于電溫度均勻性和電中的噴淋頭設(shè)計(jì),可提供出色的保形沉積和低顆粒生成,允許射頻能量產(chǎn)生等離子體。等離子體的高能反應(yīng)性物質(zhì)提供高沉積速率,以達(dá)到所需的基板厚度,同時(shí)保持低壓。其雙頻 13.56MHz 和 100KHz 功率應(yīng)用于上電,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)力控制和薄膜致密化.

高質(zhì)量的薄膜,高產(chǎn)量和出色的均勻性

電的適用溫度范圍寬

兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓

成本低且易于維護(hù)電阻絲加熱電,高溫度可達(dá)400°C或1200°C

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝, 并且可自動(dòng)停止工藝

2. 特點(diǎn)

將反應(yīng)物質(zhì)輸送到基材,通過(guò)腔室具有均勻的高電導(dǎo)路徑,允許使用高氣體流量,同時(shí)保持低壓射頻供電噴淋頭,具有優(yōu)化的氣體輸送功能,通過(guò)LF/RF開(kāi)關(guān)提供均勻的等離子體處理,從而可以精確控制薄膜應(yīng)力高泵送能力,提供寬的工藝壓力窗口

通過(guò)均勻的高導(dǎo)通路徑連接的腔室,將反應(yīng)粒子輸送到襯底

在維持低氣壓的同時(shí),允許使用較高的氣體通量

高度可變的下電

充分利用等離子體的三維特性,在優(yōu)秀的高度條件下,襯底厚度大可達(dá)10mm

電的溫度范圍寬(-150°C至+ 400°C),可通過(guò)液氮,液體循環(huán)制冷機(jī)或電阻絲加熱

可選的吹排及液體更換單元可自動(dòng)進(jìn)行模式切換

由再循環(huán)制冷機(jī)單元供給的液體控溫的電

出色的襯底溫度控制

射頻功率加載在噴頭上,同時(shí)優(yōu)化氣體輸送

提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝,可精確控制薄膜應(yīng)力

ICP源尺寸為65mm,180mm,300mm

確保200mm晶圓的工藝均勻性

高抽氣能力

提供了更寬的工藝氣壓窗口

晶壓盤(pán)與背氦制冷

更好的晶片溫度控制

3. 應(yīng)用范圍:

高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅 和 二氧化硅 用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途

用于高亮度LED 生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕







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