深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

  • 雙軸半自動劃片機(jī)

    雙軸半自動劃片機(jī)是一款先進(jìn)的半導(dǎo)體切割設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造和封裝領(lǐng)域。該設(shè)備結(jié)合了高精度、高效率和穩(wěn)定性等特點(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)對切割精度的嚴(yán)格要求...
    型號: 7920 所在地:國外 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:54:18 對比
  • 12英寸特種金屬膜層刻蝕設(shè)備

    LMEC-300™ 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設(shè)備,應(yīng)用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復(fù)雜的金屬疊...
    型號: LMEC-300 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:45:53 對比
  • 12英寸離子束塑形(IBS) 設(shè)備

    Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速,中性束流撞擊樣品表面,濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間,起輝不受非揮發(fā)...
    型號: Pangea... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:43:05 對比
  • RIE等離子刻蝕系統(tǒng)

    RIE-200NL是一種負(fù)載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng),它提高了工藝的可重復(fù)性,并允許腐蝕性氣體化學(xué)。優(yōu)化的工藝室設(shè)計(jì)可在ø8 “晶圓或ø22...
    型號: RIE-200NL 所在地:國外 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:41:42 對比
  • 8英寸離子束塑形(IBS)設(shè)備

    Lorem® A 系列常規(guī) IBS 設(shè)備,由離子源柵極引出正離子并加速,中性束流撞擊樣品表面,濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間,起輝不...
    型號: Lorem... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:39:49 對比
  • 8英寸離子束沉積(IBD)設(shè)備

    Ganister™ A離子束沉積設(shè)備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品,在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有...
    型號: Ganister&... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:37:11 對比
  • 劃片機(jī)

    7234劃片機(jī)是一款高精度的半導(dǎo)體切割設(shè)備,主要用于晶圓或其他材料的切割加工。它配備了4英寸的空氣軸承主軸,采用直流無刷電機(jī)驅(qū)動,轉(zhuǎn)速高達(dá)30krpm,能夠兼容...
    型號: 7234 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:35:19 對比
  • 12英寸硬掩膜刻蝕設(shè)備

    Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備,為針對 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦(TiN)金屬硬掩膜刻蝕(met...
    型號: Herent... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:34:09 對比
  • 勻膠機(jī)

    Laurell的EDC-650-23B型勻膠機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊,具有先進(jìn)的功能。這款650系列EDC系統(tǒng)將可容納最大150mm晶圓和5英寸×5英寸(127mm...
    型號: EDC-650-2... 所在地:美國 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:32:39 對比
  • 反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    PlasmaPro 800系列是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng),該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的...
    型號: PlasmaPro... 所在地:英國 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:29:58 對比
  • 12英寸金屬刻蝕設(shè)備

    Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備,為針對12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品, 同時(shí)也...
    型號: Herent... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:29:23 對比
  • 有掩膜光刻機(jī)

    VPG 200 / VPG 400 體積圖形發(fā)生器是光刻系統(tǒng),專為 i-line 光刻膠的多用途掩模制造而設(shè)計(jì)。它們支持所有標(biāo)準(zhǔn)的中小型面罩尺寸,最大尺寸為 4...
    型號: VPG 200 /... 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:25:58 對比
  • 8英寸硅刻蝕設(shè)備

    Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔(ICP etch cham...
    型號: Tebaank&#... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:20:32 對比
  • 8英寸金屬刻蝕設(shè)備

    Kessel™ Pishow® M 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的IC產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機(jī)臺,基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì),保證了優(yōu)異的刻蝕均...
    型號: Kessel... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:13:45 對比
  • 8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

    詳細(xì)介紹ICP是一種加工微納結(jié)構(gòu)的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備。具有刻蝕快、選擇比高、各項(xiàng)異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)...
    型號: Pishow... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:09:34 對比
  • 反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)...
    型號: PlasmaPro... 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:02:42 對比
  • 雙光子聚合直寫光刻機(jī)

    MPO 100雙光子聚合直寫光刻機(jī)是一種雙光子聚合 (TPP) 多用戶工具,用于微結(jié)構(gòu)的 3D 光刻和 3D 顯微打印,適用于微光學(xué)、光子學(xué)、微機(jī)械學(xué)和生物醫(yī)學(xué)...
    型號: MPO 100 所在地:國外 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 16:00:30 對比
  • 8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設(shè)備

    Pishow® D 系列深刻蝕設(shè)備,是針對8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的專用設(shè)備,擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì),保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。...
    型號: Pishow... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:58:56 對比
  • 勻膠機(jī)

    Laurell的EDC-650-8B勻膠機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊,具有優(yōu)良的功能。這款650系列EDC系統(tǒng)將可容納最大200mm晶圓和7英寸×7英寸(178mm&#...
    型號: EDC-650-8... 所在地:美國 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:57:02 對比
  • 半自動劃片機(jī)

    6110是一款高精度、高性能單軸半自動劃片機(jī),機(jī)身寬度490mm,占地面積小,結(jié)合全新設(shè)計(jì)的操作系統(tǒng),提供高效、低使用成本的切割體驗(yàn)。
    型號: 6110 所在地:國外 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:55:01 對比

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